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      2023年度中国有色金属工业协会科技进步奖提名项目公示信息
      作者:admin 点击:1616 日期:2023-09-11 [] [] []

      根据《中国有色金属工业协会文件》(中色协科字[2020] 67号)中项目所有完成人所在单位进行公示的要求,现将我单位拟申报的科技进步奖项目予以公示,公示内容见以下。
            公示期为2023 年 9月11日至 2023 年 9月 18日。公示期内,任何单位或个人如对公示内容有异议,请您向云南省贵金属新材料控股集团有限公司反映,并提供必要的证明材料。为便于核实查证,确保客观公正地处理异议,提出异议的单位或个人应当标明真实身份,并提供准确的联系方式。凡匿名异议和超出期限的异议,不予受理。

      项目名称

      芯片用高纯金和高纯铂蒸发材料制备关键技术及应用

      主要完成单位

      贵研铂业股份有限公司

      提名者

      云南省贵金属新材料控股集团有限公司

      提名等级

      一等

      项目主要完成人

      董海刚,裴洪营,阳岸恒,赵家春,朱勇,吴跃东,等

      主要完成人基本情况

      序号

      姓名

      所在单位

      职称

      职务

      1

      董海刚

      贵研铂业股份有限公司

      研究员

      主任

      2

      裴洪营

      贵研铂业股份有限公司

      高级工程师

      部长

      3

      阳岸恒

      贵研铂业股份有限公司

      高级工程师

      副部长

      4

      赵家春

      贵研铂业股份有限公司

      正高级工程师

      5

       

      贵研铂业股份有限公司

      高级工程师

      6

      吴跃东

      贵研铂业股份有限公司

      高级工程师

      7

      刘满门

      贵研铂业股份有限公司

      正高级工程师

      8

      周文艳

      贵研铂业股份有限公司

      副研究员

      9

      王亚雄

      贵研铂业股份有限公司

      正高级工程师

      10

      李艳华

      贵研铂业股份有限公司

      助理工程师

      11

       

      贵研铂业股份有限公司

      助理工程师

      12

      康菲菲

      贵研铂业股份有限公司

      高级工程师

      13

       

      贵研铂业股份有限公司

      助理工程师

      14

      张纯熹

      贵研铂业股份有限公司

      工程师

      15

      童伟锋

      贵研铂业股份有限公司

      高级工程师

      16

      范云鹏

      贵研铂业股份有限公司

      技术员


      项目简介

      高纯金、高纯铂蒸发材料是半导体、集成电路芯片制造工艺中薄膜制备的重要基础材料之一。随着大数据、云计算和5G等电子信息技术的不断进步和升级,电子材料开始向多功能化、复合化、低维化和智能化方向发展,半导体工艺技术水平日益提高,特征尺寸的缩小需要应用新的高性能高纯材料,对半导体、集成电路芯片制造用金和铂蒸发材料的质量提出更加苛刻的要求,其纯度和杂质含量直接影响着电子薄膜性能,如金蒸发材料要求纯度Au≥99.999%,且能有效控制特定杂质元素C,S,Fe等,同时对几何形状及尺寸也有特殊的要求。目前,高端芯片用高纯金、高纯铂蒸发材料制备技术被国外企业掌握,技术严格保密,如日本松田公司等。我国金、铂蒸发材料主要应用于LED照明、太阳能电池、微波半导体器件、电极等领域,尚不能用于高端半导体芯片制造领域,高端半导体芯片制造用高纯金、高纯铂蒸发材料依赖进口,严重制约着我国集成电路等电子信息产业的发展。针对上述问题,本项目通过系统研究,全面革新现有高纯金、高纯铂蒸发材料生产的技术及工艺流程:开发出选择性沉淀除杂-电位调控制备高纯金原料新工艺,获得了纯度Au>99.999%的高纯海绵金,生产周期短,常温还原、能耗低。开发全湿法制备高纯铂原料新工艺,获得了纯度Pt>99.999%的高纯海绵铂,该工艺杂质去除效果好,产品纯度高,流程简短,省去了氯铂酸铵煅烧工序,减少NOx、HCl等有害物质排放,清洁环保。国内首创芯片用高纯金蒸发材料规则颗粒短流程制备新工艺,获得的产品的纯度Au>99.999%,C、S含量小于2ppm,产品粒径2?4mm,满足了半导体、集成电路等高端芯片制造产业的要求,实现进口替代;通过短流程制备工艺大幅度降低能耗降低、生产成本,生产周期仅为传统工艺的3%。开发芯片用高纯铂蒸发材料新方法,获得的高纯铂蒸发材料的纯度Pt>99.999%,缺陷少,性能满足芯片制造行业要求,材料成品率由传统的70%-80%提高至90%-95%,单位蒸发材料产品生产成本降低46%。项目整体技术水平处于国际先进,部分技术指标达到国际领先。获授权专利发明5件,建成了芯片用高纯金、高纯铂蒸发材料吨级生产线。2020年-2022年间,累计生产高纯金蒸发材料1810公斤、高纯铂蒸发材料1087公斤,累计实现销售总收入8.84亿元,利税总额1.36亿元。该成果实现了芯片用高纯金、高纯铂蒸发材料国产化制备,解决了高纯金和高纯铂蒸发材料依赖进口问题,为国内芯片制造企业提供了高品质产品,推动了我国贵金属新材料产业发展。

      主要知识产权、标准等目录

      序号

      知识产权

      (标准)类别

      知识产权(标准)

      具体名称

      授权号

      (标准编号)

      (标准发布)

      日期

      权利人

      (标准起草单位)

      发明专利(标准)有效状态

      1

      发明专利

      一种高纯金的制备方法

      ZL202210151956.6

      2022.11.29

      贵研铂业股份有限公司

      有效

      2

      发明专利

      一种全湿法制备高纯铂粉的方法

      ZL201910760778.5

      2022.11.29

      贵研铂业股份有限公司

      有效

      3

      发明专利

      一种高纯铂粉的制备方法

      ZL201711037866.X

      2020.02.18

      贵研铂业股份有限公司

      有效

      4

      发明专利

      一种集成电路用高纯金规则颗粒制备方法

      ZL201810264365.3

      2020.07.07

      贵研铂业股份有限公司

      有效

      5

      发明专利

      一种金锡合金蒸镀材料及其规则颗粒制备方法

      ZL201810266443.3

      2020.02.18

      贵研铂业股份有限公司

      有效

      代表性论文(专著)目录

      序号

      论文专著名称/刊名/作者

      影响因子

      年卷页码

      xxxxxx页)

      第一作者

      SCI 他引次数

      1

      蒸发材料用高纯金的制备研究,贵金属,赵家春,阳岸恒,吴跃东,朱勇,童伟锋,裴洪营*,董海刚*

      202142(02)27-31

      赵家春

      2

      高纯金制备技术研究进展,贵金属,董海刚,赵家春,吴跃东,阳岸恒,裴洪营*

      202243(02)76-80

      董海刚

      3

      .高纯铂粉制备的研究,稀有金属与硬质合金,杨海琼,赵家春,陈家林,李博捷,王应武,董海刚*

      201846(02)64-67

      杨海琼

      4

      从废铂合金催化网中回收铂、钯、铑,贵金属,董海刚,赵家春,吴跃东,王亚雄,范云鹏

      202243(01):39-43

      董海刚

      5

      高纯铂制备技术研究进展,贵金属,赵家春,吴跃东,童伟锋,杨海琼,保思敏,裴洪营*,董海刚*

      202041(01)92-97

      赵家春

      6

      从钴铬铂靶材废料中回收纯铂,贵金属,赵家春,董海刚,吴跃东,王亚雄,杨海琼,保思敏,童伟锋

      201839(03)42-46.

      赵家春

      7

      从废NiPt靶材中回收铂、镍的研究,贵金属,吴跃东,赵家春,童伟锋,王亚雄

      202243(S1)89-92.

      吴跃东

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